Компания НР подписала соглашение о сотрудничестве с Hynix Semiconductor Inc.
с целью вывода на коммерческий рынок мемристора.
Мемристор представляет собой микроскопические пленки диоксида титана, помещенные между двумя электродами.
Мемристор, как и резистор, имеет электрическое сопротивление, однако при этом оно зависит от того, какой ток пропускали через электроды в последний раз. Проще говоря, возникает эффект памяти.
В продажу планируется запустить мемристоры в форме ReRAM – устройства для хранения информации с очень низким энергопортреблением, высокой скоростью действия и длительным (до 10 лет) сохранением информации при отключении электропитания. В перспективе технология ReRAM должна заменить флэш-память, которая в настоящее время используется в мобильных телефонах, MP3-плеерах и съемных носителях информации. Кроме того, она может выступать в качестве универсального носителя, т.е. заметить флэш, оперативную память DRAM и жесткий диск.
Дальше еще более завлекательная информация (похоже, может грянуть техническая революция, сравнимая с изобретением транзистора!), но уважаемый Erlang (не еврей
)ругается и поэтому дальше читать здесь:http://rnd.cnews.ru/tech/news/top/index ... /01/407009